Fonte : IBRAPE
O Transístor operando na região do Corte.
A operação na região do Corte é caracterizada pela polarização do transístor, de tal forma que a queda de tensão na resistência de carga (R3xIc) é tão pequena que pode ser considerada igual a zero.
Logo, a tensão entre coletor e emissor (Vce) é igual a tensão da fonte(Vcc).
A figura acima, apresenta uma simulação no Multisim, com o transistor BC547
O Transístor operando na região de Saturação.
A operação na região de saturação é caracterizada pela polarização do transístor, de tal forma que a queda de tensão na resistência de carga(R3xIc) é praticamente igual a tensão da fonte(Vcc).
Logo, a tensão entre coletor e emissor é tão pequena, que pode ser considerada igual a zero.
A figura acima, apresenta uma simulação realizada no Multisim, com o transístor BC547.
Para o BC547 operando saturado, temos que:
Ic = 10 mA
Ic / Ib = 20
Vbe = 0,7 V
logo,
RcxIc = Vcc
Rc= Vcc/ Ic
Rc = 12V/ 10 mA
Rc = 1,2Kohms.
Ib = Ic / 20
Ib = 10 mA / 20
Ib = 0, 5 mA.
Drenando uma corrente( I ) para o divisor de tensão formado por R1e R2 igual a 10xIb, temos que:
I = 10x0,5mA
I = 5 mA.
R1 = (12V- 0,7V) / 5mA
R1 = 11,3 V / 5mA
R1 = 2,26 Kohms.
R2 = 0,7 V / 4,5mA
R2 = 0,1555 Kohms
R2 = 155,5 ohms.
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